Кілька днів тому лабораторія Hubei Jiufengshan успішно засвітила лазерне джерело світла, інтегровану в внутрішню частину чіпа, що базується на кремнію, що є першою успішною реалізацією технології в Китаї. Це знаменує, що лабораторія знову здійснила важливий прорив у полі кремнієвої фотонної інтеграції. Це досягнення приймає неоднорідну технологію інтеграції, досліджувану лабораторією Jiu Fengshan, і завершує інтеграцію процесу фосфідних лазерів Indium всередині 8- дюймових вафель SOI через складний процес.
Ця технологія називається "чіп з світла" в галузі, яка використовує оптичні сигнали з кращими показниками передачі для заміни електричних сигналів для передачі, і є важливим засобом підриву передачі даних сигналу між мікросхемами з основною метою вирішення Проблема того, що поточні міжядні електричні сигнали близькі до фізичної межі. Він відіграватиме революційну роль у просуванні центрів обробки даних, обчислювальних центерах живлення, мікросхем процесора/GPU, чіпсами AI та іншими полями.
Лазерне джерело світла, освітлене всередині великого розміру кремнію
Оптичні взаємозв'язки на мікросхемі, засновані на інтеграції оптоелектроніки на основі кремнію, вважаються ідеальним рішенням для пробивання вузьких місць споживання електроенергії, пропускної здатності та затримки, з якими стикаються розробка інтегрованої схеми в епоху після моду.
Найскладніший виклик галузі в розробці кремнієвої оптичної повністю інтегрованої платформи полягає в розробці та інтеграції «серце» кремнієвого оптичного чіпа, тобто, кремнієвого джерела світла, що може випромінювати світло з високою ефективністю. Ця технологія є однією з небагатьох прогалин у галузі оптоелектроніки в Китаї.
Джиуфенгшан Лабораторно-кремнієві оптичні процеси та партнери спільної роботи, у 8-дюймовому кремнієвому оптичному вафлі гетерогенному зв’язку III-V лазерного матеріалу епітаксіальні зерна, а потім сумісність CMOS процесу виробництва приладів на чіпу, успішно вирішила конструкція матеріалу III-V та Зростання, матеріали та вафлі пов'язані з низьким врожаєм та неоднорідною інтеграцією вафель на мікросхемі та травлення та інші труднощі. Після майже десятиліття наздоганяючих, нам нарешті вдалося запалити лазер на мікросхемі та усвідомити "чіп з світла".
Порівняно з традиційним дискретним пакетом зовнішнього джерела світла та мікро-збірним джерелом світла FC, технологія джерела джерела світла Jiufengshan може ефективно вирішити традиційну ефективність зчеплення світла кремнію, не є високою, то точність вирівнювання не є Досить хороші проблеми з процесом, пробивають виробничі витрати, великі розміри, складну масштабну інтеграцію та інші вузькі місця масового виробництва.
Порушення фізичного вузького місця великої передачі даних між розробкою мікросхем та застосуванням великих моделей штучного інтелекту, автономного водіння, телемедицини, віддаленої комунікації з низькою затримкою ...... попит на обчислювальну потужність у світі майбутнього зростає. Оскільки шлях збільшення щільності транзистора на одному мікросхемі стає все складнішим, галузь відкрила нові ідеї для упаковки декількох основних зерен на одній підкладці для збільшення кількості транзисторів.
Чим більше вмирає в одному пакетному блоці, тим більше взаємозв'язків між ними та довшою відстані передачі даних, традиційна технологія електричного взаємозв'язку потребує термінового розвитку та модернізації. Порівняно з електричними сигналами, оптична коробка передач є швидшою, менш втраченою та менш затримкою, а технологія між мікросхемою оптичної взаємозв'язку вважається ключовою технологією для сприяння революції інформаційних технологій нового покоління.
Оскільки люди мають більші та більш високі вимоги до передачі та обробки інформації, традиційна технологія мікроелектроніки, керована "законом Мура", було важко вирішити проблеми споживання електроенергії, генерації тепла, перехресних та інших аспектів чіпа. І завдяки оптоелектронній гетерогенній технології інтеграції може бути реалізований між чіпом, чіпом всередині оптичного взаємозв'язку, технологія CMOS має характеристики логіки ультра-великої масштабу, ультра-високоторозивну технологію та фотоніку ультра-швидкісно Ультра-низькі потужні переваги злиття первісного розділення пристрою багато оптичних та електричних компонентів аж до інтеграції незалежного мікрочіпа, щоб досягти високочастотної, недороги, високошвидкісної оптичної передачі.
