Нещодавно West Lake Instruments офіційно випустив високоефективну лазерну технологію зачистки для однокристалічних алмазів великого розміру, досягнувши декількох проривів у ключових технічних показниках, таких як ефективність процесів, контроль втрати матеріалів та стабільність обробки, забезпечуючи підтримку основного обладнання для промислового застосування алмазу, "кінцевий напівпровідник", що позначається в новому генерації семконструктора "3}}}} 3}} 3}}} 3}} 3}}} 3}} 3}} 3}} 3}} 3}}} 3}} 3}}} 3}}} 3}}} 3}}}} 3}}}-}-}-}-ттям-р.
The laser stripping technology released by West Lake Instruments this time uses an advanced femtosecond laser system to focus on the inside of the diamond crystal to form a controllable graphite modification layer, and achieves efficient material separation through annealing or electrochemical methods, significantly reducing losses and shortening processing cycles. Taking a 1-inch crystal as an example, this technology has an order of Поліпшення величини ефективності та виходу порівняно з традиційним лазерним різанням, а сумісний розмір може досягати 14 дюймів, з хорошим збільшенням та адаптивністю масової виробництва .

At the process technology level, West Lake Instruments focuses on cutting-edge directions such as femtosecond laser processing, ice-engraved micro-nanostructure processing, and multifunctional microscopic spectral analysis, and continues to promote the integration of "superhard materials + ultrafast laser" technology. The femtosecond laser stripping process developed by it is not only applicable to diamond Матеріали, але також можуть бути поширені на напівпровідникові матеріали третього покоління/четвертого покоління, такі як карбід кремнію, нітрид галію та сапфір, з широкою адаптованості матеріалу та потенціалу міжгалузевого застосування .
Крім того, характеристики термічної обробки цієї технології значно зменшують пошкодження кристалічної структури та накопичення поверхневих напружень і можуть досягти високоточної конструкції мікроструктури без руйнування цілісності кристала, що підходить для полів високого класу, таких як пристрої з високою потужністю та глибокі ультрафіолетові пристрої .}}}









